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“高纯砷化铟 砷化铟 InAs”参数说明
| 品牌： | Cnbm | 类型： | 半导体材料 |
| 加工方式： | CVD | 型号： | 99.999% |
| 规格： | 粉末，颗粒 | 商标： | Cnbm |
| 包装： | 真空封装 | 产量： | 2000 |
“高纯砷化铟 砷化铟 InAs”详细介绍
中文名称：砷化铟英文名称：indium arsenideCAS号：1303-11-3EINECS号：215-115-3分子式：AsIn分子量：189.7396砷化铟是由铟和砷构成的Ⅲ一V族化合物半导体材料。常温呈银灰色固体，具有闪锌矿型的晶体结构，晶格常数为0.6058nm，密度为5.66g/cm(固态)、5.90g/cm(熔点时液态)。能带结构为直接跃迁，禁带宽度(300K)0.45eV。InAs相图如图所示。
联系人:冉松林
电话：13541048799
QQ：122686839
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产品简介
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分类
Category
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名称
Name
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等级
Grade
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规格
Specifications
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检测设备
Testing Equipment
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单质
Elemental
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碲Te
Tellurium
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4N,5N,6N,7N
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颗粒，块，粉
Granule, Ingot, Powder
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ICP-MS
ICP-OES
GDMS
XRD
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铟In
Indium
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4N,5N,6N,7N
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颗粒，块，棒
Granule, Ingot, Virgulater
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镉Cd
Cadmium
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5N,6N,7N
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颗粒，块
Granule, Ingot
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锡Sn
Tin
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5N,6N
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颗粒，块
Granule, Ingot
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锌Zn
Zinc
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5N,6N,7N
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颗粒，块
Granule, Ingot,
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硫S
Sulfur
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5N,6N
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颗粒，块，粉
Granule, Ingot, Powder
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铅Pb
Lead
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5N,6N
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颗粒，块
Granule, Ingot,
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锑Sb
Antomony
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4N,5N,6N
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颗粒，块，粉
Granule, Ingot, Powder
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硒Se
Selenium
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4N,5N,6N
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颗粒，块，粉
Granule, Ingot, Powder
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碲化物
Telluride
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碲化镉CdTe
Cadmium Telluride
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4N,5N,6N
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颗粒，粉
Granule, Powder
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碲化锌ZnTe
Zinc Telluride
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4N,5N,6N
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颗粒，粉
Granule, Powder
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碲化铟InTe
Indium Telluride
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4N,5N,6N
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颗粒，粉
Granule, Powder
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硒化物
Selenide
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三硒化二铟In2Se3
Diindium Triselenide
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4N,5N
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颗粒，粉
Granule, Powder
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硒化镉CdSe
Cadmium Selenide
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4N,5N,6N
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颗粒，粉
Granule, Powder
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铜铟镓硒CuInGaSe
Copper Indium Gallium Selenide
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4N,5N
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颗粒，粉
Granule, Powder
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氧化物
Oxide
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二氧化碲TeO2
Tellurium Dioxide
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3N,4N,5N,6N
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粉
Powder
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氧化锌ZnO
Zinc Oxide
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5N
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粉
Powder
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三氧化二铋Bi2O3
Bismuth Trioxide
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4N,5N
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粉
Powder
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三氧化二铟In2O3
Indium Oxide
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4N,5N
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粉
Powder
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硫化物
Sulfide
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硫化镉CdS
Cadmium Sulfide
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4N,5N
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粉
Powder
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其它化合物Others compounds
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可按客户要求生产
We can produce commodity according to customers
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